GaN/AlN量子点逐步覆盖与应变状态的掠入射衍射异常精细结构研究
材料科学
2009-11-11 v3
摘要
本文报道了通过互补异常衍射技术组合对小尺寸嵌入纳米结构的研究。以分子束外延在改进的Stranski-Krastanow模式下生长的GaN量子点(QDs)，通过掠入射异常衍射，研究了其应变和局域环境随AlN覆盖层厚度的变化。即，X射线光子能量被调谐穿过Ga吸收K边，使得衍射具有化学选择性。在跨越Ga K边的多个能量下，测量靠近AlN (30-30)布拉格反射的\textit{hkl}扫描，可以提取Ga部分结构因子，由此推断出GaN量子点的面内应变。对于衍射选择的、对应于量子点平均面内应变状态的等应变区域，通过固定Q能量依赖的衍射强度谱，获得了关于成分和面外应变的定量信息。我们恢复了量子点中的面内和面外应变。与赝晶层中双轴弹性应变的比较表明存在过应变状态的趋势。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509016,
title = {Step by step capping and strain state of GaN/AlN quantum dots studied by grazing incidence diffraction anomalous fine structure},
author = {J. Coraux and V. Favre-Nicolin and H. Renevier and M. G. Proietti and B. Daudin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509016},
year = {2009}
}
备注
submitted to PRB