GaN/AlN量子点的核生长
材料科学
2017-01-17 v1
摘要
我们研究GaN岛在AlN(0001)表面通过等离子体辅助分子束蒸发成长的Stranski-Krastanov模式下的核生长。具体考察了其高度和密度随GaN覆盖量的变化。我们表明GaN生长经历四个阶段：初始为层状生长；随后形成二维前驱体岛，进而转化为真正的三维岛。该后续阶段中，岛的高度和密度随GaN覆盖量增加而增长，直至密度饱和。在GaN进一步生长期间，密度保持恒定，出现双峰高度分布。讨论了岛的高度和密度随基片温度的变化，并在Stranski-Krastanov生长的平衡模型框架内加以说明。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311050,
title = {Nucleation and Growth of GaN/AlN Quantum Dots},
author = {C. Adelmann and B. Daudin and R. A. Oliver and G. A. D. Briggs and R. E. Rudd},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311050},
year = {2017}
}
备注
Submitted to PRB, 10 pages, 15 figures