m面GaN气相外延过程中的岛动力学与各向异性
材料科学
2018-04-24 v1
摘要
利用原位掠入射X射线散射，我们测量了在(1010) m面表面上通过金属有机气相外延进行GaN逐层生长过程中形成的岛的漫散射。漫散射在倒易空间中的(0001)面内方向扩展，表明存在强各向异性，岛沿[1 10]拉长并沿[0001]紧密间距排列。这通过淬火样品的原子力显微镜得到确认。表征了岛随生长速率G和温度的变化。在第一单层生长期间观察到的沿[0001]的岛间距服从关于生长速率G的幂律依赖，指数。结果与近期的动力学蒙特卡洛模拟一致，表明拉长的岛源于台阶边缘能量的主导各向异性而非表面扩散各向异性。观察到的幂律指数可用简单稳态模型解释，该模型给出n = 1/4。
引用
@article{arxiv.1706.09955,
title = {Island dynamics and anisotropy during vapor phase epitaxy of m-plane GaN},
author = {Edith Perret and Dongwei Xu and M. J. Highland and G. B. Stephenson and P. Zapol and P. H. Fuoss and A. Munkholm and Carol Thompson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.09955},
year = {2018}
}
备注
4 pages, 5 figures, ancillary material includes Supplement material (pdf) of 4 pages, 5 figures with details of analysis