层交换金属诱导结晶过程中锗岛的成核与生长
材料科学
2010-10-12 v1
摘要
铝诱导的非晶锗薄膜层交换结晶已在近期得到证实，这为表征、建模和控制非晶衬底上的锗晶体生长提供了一个合适的系统。通过插入的GeOx界面层直接观察锗向铝表面的转移，可以独立测量表面形成的晶态锗岛的面密度和平均面积。基于这些实验观测，我们将Johnson-Mehl-Avrami-Kologoromov相变理论扩展到二维中锗岛纳米尺度成核与生长的建模。随着时间增加，锗岛生长机制从原子附着限制转变为表面扩散限制动力学。这些机制之间的转变点取决于锗成核位点密度和退火温度。最后，我们表明对界面层施加局部偏压应力可以控制薄膜表面成核锗岛的面密度。
引用
@article{arxiv.1010.1785,
title = {Nucleation and growth of germanium islands during layer exchange metal-induced crystallization},
author = {Shu Hu and Paul C. McIntyre},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1785},
year = {2010}
}
备注
19 pages, 5 figures, 1 table, 18 references, supplementary materials, submitted to Nanotechnology