离子照射 Si 自仿射分形表面上 Ge 的生长
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
我们在真空条件下进行扫描隧道显微镜实验，研究薄层 Ge 薄膜在原色 Si(100) 和离子照射 Si(100) 自仿射分形表面上的形貌。原色和离子照射的 Si(100) 表面的粗糙度指数分别为 alpha=0.19+/-0.05 和 alpha=0.82+/-0.04。在沉积约 6 埃厚的 Ge 薄膜后，粗糙度指数分别变化为 0.11+/-0.04 和 0.99+/-0.06。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0403241,
title = {Ge growth on ion-irradiated Si self-affine fractal surfaces},
author = {D. K. Goswami and K. Bhattacharjee and B. N. Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0403241},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 2 figures and 1 table