单晶氧化物衬底上生长的六噻吩厚膜中结构有序性的改善
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
我们报道了通过热蒸发在单晶氧化物以及作为对比的Si/SiO₂上生长的约150nm厚的六噻吩薄膜。通过将整个沉积室加热至100°C，我们在整个体厚度范围内获得了直立取向的分子。表面形貌显示出阶梯状岛状结构，每个台阶仅为一个单分子层高度。通过加热整个沉积室获得的分子恒定且均匀的升温，使得稳定的扩散限制生长过程得以实现。因此，在增加薄膜厚度时，规则的生长动力学得以保持。对不同结构薄膜的电学测量揭示了岛间隔离区域尺寸对主要电荷传输参数的影响。
引用
@article{arxiv.0809.4683,
title = {Improved structural ordering in sexithiophene thick films grown on single crystal oxide substrates},
author = {Carmela Aruta and Pasquale D'Angelo and Mario Barra and Giovanni Ausanio and Antonio Cassinese},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.4683},
year = {2015}
}