在Nb(110)薄膜上逐层生长的应变单晶Al₂O₃
超导电性
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们报道了在Nb(110)上单晶Al₂O₃薄膜的逐层生长。首先在A面蓝宝石上制备单晶Nb薄膜，随后在O₂气氛中蒸发Al。Al₂O₃生长的初始阶段为具有六方对称性的逐层生长。电子和X射线衍射测量表明，Al₂O₃初始生长时被钳制在Nb晶格上，拉伸应变接近10%。随着进一步沉积，该应变得到释放，在超过约5 nm后我们观察到岛状生长的开始。尽管Al₂O₃薄膜与Nb底层之间存在不对称失配，但观测到的应变却出人意料地各向同性。
引用
@article{arxiv.0704.0118,
title = {Strained single-crystal Al2O3 grown layer-by-layer on Nb (110) thin films},
author = {Paul B. Welander and James N. Eckstein},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.0118},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Appl. Phys. Lett.