有机半导体薄膜沉积过程中的成核与应变稳定化
材料科学
2016-08-02 v4
摘要
有机半导体薄膜溶液沉积过程中的成核机制决定了晶粒形貌，并在某些情况下可能影响晶体堆积。本文使用反射模式原位光学光谱显微术研究 6,13-bis(trisopropylsilylethynyl)-pentacene 薄膜的生长机制与热稳定性。结果表明，薄膜在转变为固态薄膜之前形成于过饱和状态。根据过饱和区的光学光谱测量，推断出对应于结晶过程中亚临界晶核的分子聚集体。无应变固态薄膜由于晶体堆积的连续热驱动变化，表现出依赖于温度的光吸收峰蓝移。当晶体薄膜冷却至环境温度时，它们产生应变，尽管观察到较厚薄膜的开裂，这使得应变部分弛豫。低于临界厚度时，未观察到开裂，且掠入射 X 射线衍射测量证实最薄薄膜被约束在对应于其沉积温度的晶格常数。光学光谱结果表明，Form I（室温相）与 Form II（高温相）之间的转变温度取决于薄膜厚度，且 Form I 也可被应变稳定化至 135C。
引用
@article{arxiv.1511.00085,
title = {Nucleation and strain-stabilization during organic semiconductor thin film deposition},
author = {Yang Li and Jing Wan and Detlef-M. Smilgies and Nicole Bouffard and Richard Sun and Randall L. Headrick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00085},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 7 figures