在超薄 SiO2 上生长的并五苯岛
材料科学
2015-05-13 v1
摘要
在超高真空和室温条件下，在 Si(111) 上生长了超薄氧化物（UTO）薄膜，并用扫描隧道显微镜进行了表征。随后将超薄氧化物薄膜用作室温下生长并五苯的衬底。第一层的表观高度为 1.57 +/- 0.05 nm，表明形成了薄膜相中直立取向的并五苯晶粒。在第二层及后续分子层中，并五苯获得了分子级分辨。测得的并五苯 (001) 面（ab 面）的面内晶胞参数为 a=0.76+/-0.01 nm，b=0.59+/-0.01 nm，gamma=87.5+/-0.4 度。薄膜不受 UTO 隧穿概率短程空间变化的影响，并且随着厚度增加，降低了其相应的有效粗糙度和关联指数。并五苯表面形貌遵循 UTO 衬底的形貌，保留了台阶结构、约 0.1 nm 的长程表面均方根粗糙度以及约 1 的结构关联指数。
引用
@article{arxiv.0811.2515,
title = {Pentacene islands grown on ultra-thin SiO2},
author = {B. R. Conrad and W. G. Cullen and B. C. Riddick and E. D. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2515},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures