利用 X 射线衍射和透射电子显微镜技术对原位沉积碘化铯薄膜的结构表征
材料科学
2013-11-05 v3 仪器与探测器
摘要
在本工作中，通过热蒸发技术制备了不同厚度的碘化铯 (CsI) 薄膜。分别利用 X 射线衍射 (XRD) 谱线分析和透射电子显微镜 (TEM) 计数比较了这些薄膜的晶粒尺寸和晶粒大小。对于 4 nm 的薄 CsI 薄膜，这两种方法得出的晶粒尺寸和晶粒大小偏差较小，但对于较厚的 CsI 薄膜（20 nm、100 nm 和 500 nm），两者之间存在较大差异。这表明位错以一种导致两个相邻相干区域之间取向差异较小的构型排列。XRD 获得的尺寸对应于两个独立的区域，而在 TEM 显微图中，这两个区域可能看似对应一个区域，特别是在较厚薄膜的情况下。此外，还利用修正的 Williamson-Hall (W-H) 分析法，假设均匀变形模型 (UDM)、均匀变形应力模型 (UDSM) 和均匀变形能量密度模型 (UDEDM)，精确估算了较厚 CsI 薄膜在 范围内主要 XRD 峰的应变、应力和变形能量密度等其他物理参数。
引用
@article{arxiv.1211.5540,
title = {Structural characterization of as-deposited cesium iodide films studied by X-ray diffraction and transmission electron microscopy techniques},
author = {Triloki and P. Garg and R. Rai and B. K. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.5540},
year = {2013}
}
备注
This paper has been accepted for publication in Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, A