GaAs(111)B 上薄 Co$_{2}$FeSi 膜的长程有序与热稳定性
材料科学
2019-07-12 v1
摘要
通过分子束外延生长 CoFeSi/GaAs(111)B 混合结构，并利用透射电子显微镜（TEM）和 X 射线衍射进行表征。在衬底温度 介于 ~=~100C 与 425C 之间时，CoFeSi 薄膜以岛状生长模式生长。该结构在 C 以下具有稳定界面。薄膜包含完全有序的 相和部分有序的 相。CoFeSi 中长程有序的空间分布通过使用超晶格反射与相应基反射拍摄的 TEM 图像对比来表征。长程有序的空间不均匀性可由横向偏析或应力弛豫引起的局部非化学计量比解释，且未形成扩展缺陷。
引用
@article{arxiv.1907.05306,
title = {Long-range order and thermal stability of thin Co$_{2}$FeSi films on GaAs(111)B},
author = {B Jenichen and J Herfort and K Kumakura and A Trampert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05306},
year = {2019}
}