FeSe 体系中四方相与六方相的双外延生长
材料科学
2019-03-27 v2
摘要
包含多于一种结晶学取向的外延薄膜因具有改变磁性、电学和光学性质的可能性而备受关注。在单晶 MgO 衬底上生长的 FeSe 薄膜，其生长条件可产生四方相和六方相的同时外延生长。我们表明，这种双外延的特征在于各相畴之间具有明确的彼此外延取向关系，且相对相分数是可控的。在 350-450 摄氏度的生长温度下，(001) 取向的四方相（-FeSe）生长时其晶胞与立方衬底对齐，而 (101) 取向的六方相（FeSe）表现出由 45 度分隔的两种不同面内取向的畴。此外，可以选择 -FeSe 相相对于衬底呈 (001) 或 (101) 取向，其中 (101) 取向包含三个旋转畴。
引用
@article{arxiv.1902.03449,
title = {Double epitaxy of tetragonal and hexagonal phases in the FeSe system},
author = {S. B. Harris and R. P. Camata},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.03449},
year = {2019}
}