不同晶向 EuSe 薄膜的外延生长与磁性表征
材料科学
2022-02-16 v1 量子物理
摘要
我们报道了通过分子束外延在 BaF2、Pb1-xEuxSe、GaAs 和 Bi2Se3 衬底上生长的 EuSe 薄膜的不同生长模式及相应磁性质。我们显示 EuSe 在 GaAs(111) 和 Bi2Se3 上主要以 (001) 取向生长，而在 BaF2(111) 和 Pb1-xEuxSe(111) 上沿 (111) 晶向生长。高分辨透射电子显微镜测量揭示 (001) 与 (111) EuSe 薄膜均具有 abrupt 且高度结晶的界面。与先前研究一致，有序磁相包括反铁磁、亚铁磁和铁磁相。与先前研究相反，我们发现反铁磁-亚铁磁转变具有强滞回。能够在 Bi2Se3 上生长 EuSe 外延薄膜以及在其上生长 Bi2Se3 于 EuSe 上，使得进一步研究绝缘变磁材料各相与拓扑绝缘体间的界面交换相互作用成为可能。
引用
@article{arxiv.2106.09771,
title = {Epitaxial growth and magnetic characterization of EuSe thin films with various crystalline orientations},
author = {Ying Wang and Xinyu Liu and Seul-Ki Bac and Jacek K. Furdyna and Badih A. Assaf and Maksym Zhukovskyi and Tatyana Orlova and Neil R Dilley and Leonid P. Rokhinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.09771},
year = {2022}
}
备注
19pages,13 figures