拓扑绝缘体 $\beta$-Ag2Te 薄膜的外延生长
材料科学
2026-03-17 v1
摘要
我们报告了通过分子束外延生长的拓扑绝缘体 -Ag2Te 薄膜。-Ag2Te 最近被鉴定为拓扑绝缘体，通过在室温下将 Ag 沉积在 InP 衬底上，随后在高温下供给 Te 而生长。X 射线衍射测量和透射电子显微镜分析证实了 -Ag2Te 薄膜的（002）晶体取向和外延原子排列。电输运测量显示 -Ag2Te 薄膜表现出二维金属导电性，而体相仍为绝缘态。这里获得的外延 -Ag2Te 薄膜为研究表面狄拉克态产生的涌现现象以及设计基于异质结的器件结构提供了一个可行的平台。
引用
@article{arxiv.2603.15406,
title = {Epitaxial growth of topological insulator $\beta$-Ag2Te thin films},
author = {Ayuki Takegawa and Kouya Imoto and Minoru Kawamura and Moeta Tsukamoto and Ryutaro Yoshimi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.15406},
year = {2026}
}
备注
19 pages, 4 figures