砷化镉分子束外延的基面生长
材料科学
2019-04-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
(001)取向的三维狄拉克半金属砷化镉薄膜可实现量子自旋霍尔绝缘体及其他类型的拓扑物理,且均处于外延异质结构的灵活架构之内。在此,我们报道一种利用分子束外延生长(001)砷化镉薄膜的方法。如通过 X 射线衍射与反射、原子力显微镜和扫描透射电子显微镜所测,引入薄砷化铟润湿层改善了表面形貌与结构特性。发现 50 nm 厚薄膜在 2 K 下的电子迁移率为 9300 cm2/Vs,可与以传统(112)取向生长的最高品质薄膜相比拟。本工作展示了一个简单的实验框架,用于探索预测存在于三维狄拉克半金属相邻近处的拓扑相。
引用
@article{arxiv.1904.00254,
title = {Basal-plane growth of cadmium arsenide by molecular beam epitaxy},
author = {David A. Kealhofer and Honggyu Kim and Timo Schumann and Manik Goyal and Luca Galletti and Susanne Stemmer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.00254},
year = {2019}
}