用于拓扑绝缘体的高质量Bi2Se3薄膜的五重层外延生长
介观与纳米尺度物理
2010-05-03 v1 强关联电子
摘要
我们报道了利用分子束外延技术在Si(111)衬底上生长原子级平滑、单晶的Bi2Se3薄膜。使用扫描隧道显微镜、低能电子衍射、X射线光电子发射光谱和拉曼光谱来表征薄膜的化学计量比和结晶度。薄膜以自组织的五重层逐层模式生长，并且可以获得厚度低至一个五重层（约1纳米）的原子级平滑薄膜。
引用
@article{arxiv.0906.5306,
title = {Quintuple-layer epitaxy of high-quality Bi2Se3 thin films for topological insulator},
author = {Guanhua Zhang and Huajun Qin and Jing Teng and Jiandong Guo and Qinlin Guo and Xi Dai and Zhong Fang and Kehui Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0906.5306},
year = {2010}
}
备注
12 pages, 5 figures