毫米级转移膜中拓扑表面态的保持
材料科学
2024-05-24 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
超薄拓扑绝缘体膜是奇异量子物质的基本构建块。然而，这些材料的传统外延生长不利于任意顺序的堆叠，而由于其中不可忽略的层间耦合，从块体晶体机械剥离也具有挑战性。在这里，我们释放了通过分子束外延生长的毫米级拓扑绝缘体BiSe薄膜，厚度低至3个五重层。我们利用角分辨光电子能谱表征了转移后的BiSe薄膜中拓扑表面态和量子阱态的保持。利用光子能量依赖的表面灵敏度，用6 eV和21.2 eV光子采集的光电子能谱揭示了转移诱导的拓扑表面态从顶层向内层迁移。通过建立转移薄膜清晰的电子结构并揭示拓扑表面态的波函数重新定位，我们的工作为未来以单层精度人工堆叠拓扑材料的制造奠定了关键的物理基础。
引用
@article{arxiv.2405.13228,
title = {Preservation of Topological Surface States in Millimeter-Scale Transferred Membranes},
author = {Chi Ian Jess Ip and Qiang Gao and Khanhy Du Nguyen and Chenhui Yan and Gangbin Yan and Eli Hoenig and Thomas S. Marchese and Minghao Zhang and Woojoo Lee and Hossein Rokni and Ying Shirley Meng and Chong Liu and Shuolong Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.13228},
year = {2024}
}
备注
4 figures