GaAs 上 Co2FeSi 薄膜中 L21 有序度的表征

B Jenichen; T Hentschel; J Herfort; X Kong; A Trampert; I Zizak

doi:10.1088/1742-6596/471/1/012022

GaAs 上 Co2FeSi 薄膜中 L21 有序度的表征

材料科学 2019-07-15 v1

作者: B Jenichen , T Hentschel , J Herfort , X Kong , A Trampert , I Zizak

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摘要

通过分子束外延 (MBE) 生长了 Co2FeSi/GaAs(110) 和 Co2FeSi/GaAs(-1-1-1)B 混合结构，并通过透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 进行了表征。薄膜包含有序 L21 和 B2 相的非均匀分布。平均化学计量比可通过 XRD 测定，以用于 MBE 源的校准。扩散过程导致不均匀性，影响长程有序。通过掠入射 XRD 测得高达 65% 的平均 L21 有序度。利用超晶格反射的暗场 TEM 对 Co2FeSi 中长程有序的空间分布横向不均匀性进行了成像，并表明其对应于 Co/Fe 比率的变化。

关键词

Co2FeSi 薄膜 L21 有序分子束外延透射电子显微镜 X 射线衍射长程有序

引用

@article{arxiv.1907.05869,
  title  = {Characterization of L21 order in Co2FeSi thin films on GaAs},
  author = {B Jenichen and T Hentschel and J Herfort and X Kong and A Trampert and I Zizak},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1907.05869},
  year   = {2019}
}

备注

arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1206.2242

GaAs 上 Co2FeSi 薄膜中 L21 有序度的表征

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关键词

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