有序 Fe3Si 薄膜外延生长的原位 X 射线衍射研究
材料科学
2012-06-12 v3
摘要
本文通过掠入射 X 射线衍射技术，原位研究了 Fe3Si 在 GaAs(001) 上的分子束外延生长。在低生长速率和约 200 摄氏度的衬底温度下，观察到了 Fe3Si 薄膜的层状生长。研究发现，由于生长过程中表面逐渐粗糙化，X 射线强度振荡出现阻尼现象，并由此获得了不同台阶层面的覆盖度序列。沉积后的表面恢复非常缓慢。在 310 摄氏度下进行退火并结合单分子层 Fe3Si 的沉积，可使表面恢复至高度完美且粗糙度最小。我们的化学计量比薄膜具有长程有序性和高质量的异质外延界面。
引用
@article{arxiv.0712.2180,
title = {In situ x-ray diffraction study of epitaxial growth of ordered Fe3Si films},
author = {Bernd Jenichen and Vladimir Kaganer and Wolfgang Braun and Roman Shayduk and Bradley Tinkham and Jens Herfort},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.2180},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 3 figures