银岛在 Si(111)-(7x7)面上的高度偏好与应变
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过扫描隧道显微镜、横截面透射电子显微镜和高分辨率 X 射线衍射研究了薄银膜在硅基板上的生长与应变行为。银岛在室温下生长时表现出明显的高度偏好和平坦顶部。低覆盖量时，包含两层银原子的岛屿占主导。高覆盖量时，岛屿高度分布显示出与银原子层数为偶数的相对高度位置密集的峰值。这似乎是量子尺寸效应。在退火后形成的六边形圆盘状岛屿具有平坦顶部。退火后的薄膜显示出两个靠近的 Ag(111)衍射峰——一个弱而宽广，另一个窄而更强烈。强峰对应于银(111)平面间距小于 bulk 值。这可通过银与硅热膨胀系数不匹配导致加热-冷却循环中银晶格变化来解释。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311506,
title = {Height preference and strain in Ag islands on Si(111)-(7x7)},
author = {D. K. Goswami and K. Bhattacharjee and B. Satpati and S. Roy and G. Kuri and P. V. Satyam and B. N. Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311506},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 11 figures