Si(111) 表面上 Pb 岛的膜厚
介观与纳米尺度物理
2020-01-16 v1
摘要
我们分析了在不同退火时间下于 Si(111) 上 Pb 岛及浸润层处获得的拓扑扫描力显微镜图像与开尔文探针图像。在浸润层内我们观察到带负电的富 Si 区域。我们给出证据表明这些富 Si 区域源于通过粗化而消失的岛。我们论证这些岛位于浸润层内部的富 Si 区域之上，使得岛的 Pb/Si 界面与浸润层顶部齐平，而非与其到衬底的界面齐平。我们提出 Pb 岛高度比先前认为的少一个原子层。对于该系统观测到的功函数量子尺寸效应双层振荡，我们得出结论：对于小于 9 个原子层的膜厚，功函数的大值对应于偶数个单原子层而非奇数个。原子级精确的岛高对于理解该系统中的超快“爆炸性”岛生长十分重要。
引用
@article{arxiv.2001.05383,
title = {Film thickness of Pb islands on the Si(111) surface},
author = {Th. Späth and M. Popp and R. Hoffmann-Vogel},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.05383},
year = {2020}
}