Pb 量子阱中电子态的溢出
介观与纳米尺度物理
2016-02-17 v1 材料科学
摘要
通过结合扫描隧道显微镜、第一性原理密度泛函理论以及箱中粒子模型计算,研究了生长在 Si(111)66Au 表面上的二维超薄 Pb 岛的能量依赖表观台阶高度。表观台阶高度显示出厚度和能量相关的振荡行为,这直接与电子态溢出到真空中有关,表现出量子尺寸效应。这已通过广泛的第一性原理扫描隧道显微镜和谱学模拟得到明确证实。直接确定了电子对表观台阶高度的贡献。在某些能量下,该贡献达到原子贡献的一半之高。还讨论了箱中粒子模型对电子态溢出的适用性。
引用
@article{arxiv.1601.07725,
title = {Spilling of electronic states in Pb Quantum Wells},
author = {M. Jalochowski and K. Palotas and M. Krawiec},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.07725},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 5 figures