非微扰区电子盒中的隧穿
凝聚态物理
2009-10-22 v1
摘要
我们研究了单电子盒中的充电效应和隧穿。隧穿混合了不同的电荷态，在非微扰区，岛上的电荷可能被强烈屏蔽。当电荷态接近简并时，即使在弱隧穿区，电荷的屏蔽也很强。虚隧穿过程同时降低了能级分裂和隧穿强度。计算了岛上的电荷和衰减率。在强隧穿区，非简并态也受到隧穿的影响。强耦合标度重新归一化了有效电容，我们通过蒙特卡洛模拟证实了这一结果。隧穿强度标度到较小的值，进入弱耦合标度适用的区域。我们提出了一个两阶段标度程序，为该问题提供了统一的图像。标度分析也扩展到具有有限亚隙电导的超导隧道结。（应要求提供9幅图）
引用
@article{arxiv.cond-mat/9407096,
title = {Tunneling in the Electron Box in the Nonperturbative Regime},
author = {G. Falci and J. Heins and Gerd Schoen and Gergely T. Zimanyi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9407096},
year = {2009}
}
备注
18 pages in Revtex, TFP-P_0/9402