单电子盒中的强电荷涨落：量子蒙特卡洛分析
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们通过量子蒙特卡洛模拟研究了单电子盒（一个通过隧道结与电极耦合的小金属岛）中的强电子隧穿。我们在任意隧穿强度下，获得了该系统的自由能以及岛上平均电荷作为外部偏置电压函数的结果。在大部分参数范围内，可以外推到基态。我们将强隧穿的有效充电能结果与早期——部分有争议的——理论预测和蒙特卡洛模拟进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9807112,
title = {Strong Charge Fluctuations in the Single-Electron Box: A Quantum Monte Carlo Analysis},
author = {Carlos P. Herrero and Gerd Schon and Andrei D. Zaikin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9807112},
year = {2009}
}