强耦合超导单电子晶体管的电荷谱仪
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们使用一个强耦合到另一个晶体管金属岛上的超导单电子晶体管作为DC电子计量器。通过这种设置，可以直接测量该岛上的电荷分布。通过多层制造技术实现了强耦合，使得耦合电容大于junction电容。使用正教派单电子隧穿理论对该系统进行仿真，结果与实验测量结果高度吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105263,
title = {Charge spectrometry with a strongly coupled superconducting single-electron transistor},
author = {C. P. Heij and P. Hadley and J. E. Mooij},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105263},
year = {2009}
}
备注
6 figures, submitted to PRB