有限通道数的库仑充电效应
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v3 强关联电子
摘要
我们考虑金属小颗粒因虚拟电子隧穿至相邻电极而导致的电荷量的量子涨落。通过隧穿哈密顿量的扰动理论来确定平均电子数和有效充能。特别讨论了充电效应随隧道通道数 N 的依赖性。对于 N>>1 的早期结果在N逐渐增大时得到较快的收敛。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9812385,
title = {Coulomb Charging Effects for Finite Channel Number},
author = {Georg Goeppert and Hermann Grabert and Christian Beck},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9812385},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures