一维纳米晶体管中库仑效应的量子动力学描述
其他凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
本文将一维晶体管结构的修正电势学与库仑相互作用及非平衡输运的量子动力学方法相结合。提出一种多配置自洽格子函数方法，能够处理电子数目波动。基于此，我们提供了一种用于模拟电子输运和量子充电效应的理论，适用于如栅控碳纳米管、毛毛状器件以及一维 CMOS 晶体管等。单电子充电效应自然地源于通道内的库仑排斥。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504746,
title = {Quantum kinetic description of Coulomb effects in one-dimensional nano-transistors},
author = {K. M. Indlekofer and J. Knoch and J. Appenzeller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504746},
year = {2007}
}