单电子晶体管热力学功率的量子消落效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2
摘要
我们研究了在弱隧穿耦合极限之外的金属单电子晶体管的热力学导热和热功率。采用系统的二阶扰动展开和非扰动近似方案，我们发现除了顺序隧穿和共同隧穿贡献外，还存在与量子消落导致系统参数再规范化相关的项。后者可以通过其典型的对数温度依赖性被识别，这是许多通道Kondo关联的特征。在 particular地，热力学功率的温度依赖性——这提供了运输粒子平均能量的直接测量——反映了由于量子消落导致库仑阻塞间隙的对数减小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602624,
title = {Quantum-fluctuation effects on the thermopower of a single-electron transistor},
author = {Björn Kubala and Jürgen König},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602624},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 6 figures, published version; typos corrected, minimal changes