单电子晶体管中的强隧穿和库仑阻塞
凝聚态物理
2009-10-31 v1
摘要
我们对强隧穿 regime 下的单电子晶体管进行了详细的实验研究。尽管强电荷涨落削弱了库仑效应，但在所有样品中，包括有效电导比量子值 (6.45 k) 高 8 倍的样品，库仑效应仍然存在。我们的实验数据与强隧穿极限的理论结果吻合良好。证明了电导比量子值大 3-4 倍的晶体管可以可靠工作。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9803015,
title = {Strong Tunneling and Coulomb Blockade in a Single-Electron Transistor},
author = {D. Chouvaev and L. S. Kuzmin and D. S. Golubev and A. D. Zaikin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803015},
year = {2009}
}
备注
revtex, 4 pages