Scifaro

中文

半导体量子点中的电子共隧穿

介观与纳米尺度物理 2009-10-31 v2 强关联电子

作者: S. De Franceschi , S. Sasaki , J. M. Elzerman , W. G. van der Wiel , S. Tarucha , L. P. Kouwenhoven

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们报告了对包含少量受限电子的半导体量子点的输运测量。在库仑阻塞区域，导电由共隧穿过程主导。根据是否使量子点保持在基态或驱动其进入激发态，这些过程可以是弹性的也可以是非弹性的。我们能够区分这两种贡献，并表明非弹性事件只有在施加偏压超过最低激发能时才能发生。讨论了其对能级光谱学的意义。

关键词

共隧穿半导体量子点库仑阻塞弹性共隧穿非弹性共隧穿能级光谱学

引用

@article{arxiv.cond-mat/0007448,
  title  = {Electron Cotunneling in a Semiconductor Quantum Dot},
  author = {S. De Franceschi and S. Sasaki and J. M. Elzerman and W. G. van der Wiel and S. Tarucha and L. P. Kouwenhoven},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007448},
  year   = {2009}
}

备注

To be published in Phys. Rev. Lett