混合半导体-超导体岛中准粒子中毒的静电调控
介观与纳米尺度物理
2023-07-20 v1 超导电性
摘要
超导器件的性能常因准粒子的不可控出现与消失而退化，这一过程称为中毒。我们展示了在 InAs/Al 混合纳米线中，以单电荷隧穿穿过固定势垒进入库仑岛的形式对准粒子中毒进行静电调控。利用高带宽电荷传感监测岛在库仑阻塞峰（隧穿速率最大）和库仑谷（无隧穿）处的电荷占据数。对于具有固定正常态电阻的势垒，静电栅将峰处隧穿速率改变了两个数量级，我们将其归因于岛上诱导超导能隙的尺寸与软度的栅依赖关系，并由独立的态密度测量所证实。我们还研究了隧穿速率的温度与磁场依赖关系。
引用
@article{arxiv.2202.05970,
title = {Electrostatic control of quasiparticle poisoning in a hybrid semiconductor-superconductor island},
author = {H. Q. Nguyen and D. Sabonis and D. Razmadze and E. T. Mannila and V. F. Maisi and D. M. T. van Zanten and E. C. T. O'Farrell and P. Krogstrup and F. Kuemmeth and J. P. Pekola and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05970},
year = {2023}
}