纳米磷-硅岛中的库仑阻塞
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v4
摘要
我们研究了硅单电子晶体管的低温电输运行为。该岛和电极通过通过聚合物阻挡层植入的磷掺杂区域定义。该器件中直径为 50 nm 的岛上含有约 600 个供体，并具有金属密度态，与源漏电极之间由未掺杂硅隧道障壁分隔。中心岛和隧道障壁被覆盖在场效应晶体管几何中，允许电极与岛之间的耦合被控制。测量到由于给掺杂岛加电而产生的库仑阻塞，电荷能量随表面栅极电压而变化。我们讨论了这些结构中接近少数电子 regime 的可能性，以实现和操控离散量子力学态的目标。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510488,
title = {Coulomb blockade in a nanoscale phosphorus-in-silicon island},
author = {F. E. Hudson and A. J. Ferguson and C. Yang and D. N. Jamieson and A. S. Dzurak and R. G. Clark},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510488},
year = {2007}
}
备注
accepted into the proceedings of MNE 2005 in Microelectronic Engineering