由 Al 单电子晶体管栅控的 Si 沟道中的库仑阻塞
介观与纳米尺度物理
2011-11-10 v2
摘要
我们将一个 Al-AlO_x-Al 单电子晶体管作为窄沟道（约 100 nm）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极。在接近 MOSFET 沟道电导阈值时，我们观察到与沟道中库仑阻塞相关的电导振荡，揭示了 Si 单电子晶体管的形成。Al 晶体管电导随栅压扫描中出现的突变台阶与 Si 晶体管中的单电子充电事件相互关联，反之亦然。利用简单的静电模型对这些相关性进行分析表明，两个单电子晶体管岛紧密对齐，岛间电容约为 Si 晶体管岛总电容的 1/3，表明 Si 晶体管与 Al 晶体管强耦合。
引用
@article{arxiv.0708.1520,
title = {Coulomb blockade in a Si channel gated by an Al single-electron transistor},
author = {L. Sun and K. R. Brown and B. E. Kane},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1520},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 4 figures, 1 table; typos corrected, minor clarifications added; published in APL