本征硅中二维空穴气的单空穴隧穿
介观与纳米尺度物理
2013-05-16 v3
摘要
在本信中，我们报道了位于本征硅窄沟道场效应晶体管中的二维空穴气量子点内的单空穴隧穿现象。利用电子束光刻技术在 Si/SiO 上定义了两层铝栅电极。对不同器件的制造和后续电学表征产生了可重复的结果，例如典型的 MOSFET 开启和夹断特性。此外，4 K 下的线性输运测量产生了规则间隔的库仑振荡，对应于通过单个库仑岛的單空穴隧穿。这些库仑峰在很宽的栅极电压范围内可见，表明器件运行非常稳定。能谱测量显示了闭合的库仑菱形，单空穴充电能量为 5--10 meV，并且由于通过额外可用空穴态的共振隧穿，出现了电导增加的线条。
引用
@article{arxiv.1304.2870,
title = {Single-hole tunneling through a two-dimensional hole gas in intrinsic silicon},
author = {P. C. Spruijtenburg and J. Ridderbos and F. Mueller and A. W. Leenstra and M. Brauns and A. A. I. Aarnink and W. G. van der Wiel and F. A. Zwanenburg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2870},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 4 figures. This article has been submitted to Applied Physics Letters