利用原子力显微镜制造的 Ga[Al]As 平面栅单电子晶体管
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们通过原子力显微镜对 GaAs 顶层进行氧化处理，实现了一个 Ga[Al]As异质结构中的单电子晶体管。氧化线定义了量子点、平面栅电极以及点与源漏之间的接触。可以通过额外的均匀顶栅电极调节点中电子数目以及其与导体的耦合程度。观察到随着施加给不同栅极电压而出现的显著库仑阻塞振荡。我们发现，在正顶栅电压时，光刻图案能高度准确地转移到电子气中。此外，随着平面电压调节，点形状几乎没有变化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909340,
title = {In-plane gate single-electron transistor in Ga[Al]As fabricated by scanning probe lithography},
author = {S. Luescher and A. Fuhrer and R. Held and T. Heinzel and K. Ensslin and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909340},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures