未掺杂 AlGaAs/GaAs 量子点单电子晶体管中输运抑制的研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们报告了一项基于未掺杂 AlGaAs/GaAs 异质结构的量子点单电子晶体管中输运阻塞特征的研究。我们观察到通过量子点基态的输运受到抑制，以及在有限源漏偏压下出现负微分电导。这些特征的温度和磁场依赖性表明，引线与量子点态之间的耦合受到抑制。我们将此归因于两种可能的机制：一是自旋效应，它根据总自旋的变化决定特定的电荷跃迁是否被允许；二是源于量子点内电子相干隧穿而产生的干涉效应。
引用
@article{arxiv.1310.4889,
title = {A study of transport suppression in an undoped AlGaAs/GaAs quantum dot single-electron transistor},
author = {A. M. See and O. Klochan and A. P. Micolich and M. Aagesen and P. E. Lindelof and A. R. Hamilton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4889},
year = {2015}
}