纳米尺度硅岛中量子效应调制的室温电荷稳定性
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v1
摘要
我们报告了在室温下运行的超小库仑阻塞器件上的输运测量结果，该器件具有亚 5 纳米的硅岛。300K 下的电荷稳定性显示出每个连续库仑菱形的斜率和对角线尺寸发生了显著变化，但值得注意的是，其主要特征即使在低至 5.3K 的低温下依然保持，除了额外的库仑峰分裂。这种具有额外库仑峰精细结构的电荷稳定性关键特征，通过包含库仑相互作用、谷分裂和强量子限制之间的相互作用的模型成功得到了描述，这导致每个点占据数对应几个低能多体激发态。这些激发态在亚 5 纳米超小尺度下增强，并以团簇形式持续存在于 300K，从而导致电荷稳定性的显著调制。
引用
@article{arxiv.1201.3724,
title = {Room-Temperature Charge Stability Modulated by Quantum Effects in a Nanoscale Silicon Island},
author = {S. J. Shin and J. J. Lee and H. J. Kang and J. B. Choi and S. -R. Eric Yang and Y. Takahashi and D. G. Hasko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.3724},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 5 figures; updated version of NanoLett. 11, 1591 (2011); addition/corrections included