大型半导体量子点中电导峰间距的涨落
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
在基于多个电子岛静电学的模型中，研究了大型二维半导体量子点中库仑阻塞峰间距的涨落，这些电子岛之间存在随机的电感和电容耦合。每个岛可以在量子轨道上容纳电子，其能量也依赖于外部磁场。与单岛量子点（其间距分布接近高斯分布）相比，这里的分布在小的间距值处有一个峰。涨落主要源于充电效应。该模型可以解释偶尔出现的紧密间隔的库仑阻塞峰对甚至峰组，以及峰位置随外加磁场的定性行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9901287,
title = {Fluctuation of Conductance Peak Spacings in Large Semiconductor Quantum Dots},
author = {Yshai Avishai and Daniel Berend and Richard Berkovits},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9901287},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figures, accepted for publication in PRB