InAs 中的杂化金属-半导体量子点：用于量子模拟的平台
介观与纳米尺度物理
2025-08-07 v1
摘要
杂化金属-半导体岛屿阵列提供了一种新的量子模拟方法，相对于传统量子点阵列具有关键优势。由于这些杂化岛屿的金属成分具有准连续能级谱，阵列中的每个站点可以有效地电气上等同；而传统半导体量子点则各自具有自己的光谱指纹。同时，半导体成分保留了介于站点间耦合的可调性。这一组合创造了一个可扩展的平台，用于模拟由库仑相互作用驱动的相关基态。我们报告了杂化金属-半导体岛屿的制造和表征，特点是亚微米金属成分透明地接触一个受栅极约束的InAs量子阱，并具有可调与宏观电导之间的耦合。调节到弱耦合极限形成具有高度一致库仑峰的单电子晶体管，在库仑金刚石中没有可分辨的激发谱。当传输增加到球形极限时，我们观察到向动力学库仑阻塞的演变。
引用
@article{arxiv.2508.03928,
title = {Hybrid metal-semiconductor quantum dots in InAs as a platform for quantum simulation},
author = {Praveen Sriram and Connie L. Hsueh and Karna A. Morey and Tiantian Wang and Candice Thomas and Geoffrey C. Gardner and Marc A. Kastner and Michael J. Manfra and David Goldhaber-Gordon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.03928},
year = {2025}
}
备注
Main text (14 pages, 6 figures), Supplemental Material (15 pages, 7 figures)