自组装 Ge 岛在条纹结构化 Si (001) 基底上的定位
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
通过固态源分子束外延法在条纹结构化 Si (001) 基底上生长自组装的 Ge 岛。原子力显微镜 (AFM) 和横截面透射电子显微镜图像显示，Ge 岛沿 [-110] 方向的纯 Si 条纹侧壁（在 650°C）或沿沟槽生长倾向于形成；而当条纹覆盖由受应变 GeSi 缓冲层构成时，大多数 Ge 岛形成在顶部平原上。将生长温度降至 600°C 后，Ge 岛同时在顶部平原和纯 Si 条纹侧壁上形成。基于生长动力学的定性分析表明，条纹的阶结构、外部应变场以及岛屿形成的局部临界润湱层厚度共同决定了 Ge 岛在条纹上倾向于定位的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303643,
title = {Positioning of self-assembled Ge islands on stripe-patterned Si (001) substrates},
author = {Zhenyang Zhong and A. Halilovic and M. Muhlberger and F. Schaffler and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303643},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 7 figures, 1 table, the original paper is in print in J. Appl. Phys