关于在Ge/Si(001)浸润层上生长的Ge小丘的原子结构
材料科学
2013-09-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
基于最近在分子束外延过程中Ge小丘在Si(001)表面成核和生长的STM研究数据，提出了生长中的Ge小丘团簇（金字塔和楔形）的结构模型。结果表明，无论团簇形状如何，小丘基底沿<110>方向的扩展在团簇生长过程中是非均匀的。从第二单层开始，生长的金字塔经历轻微不对称和对称团簇的循环形成，其中对称团簇在每添加第四个台阶后出现。我们推测，只有由浸润层上方2、6、10、14等单层组成的金字塔的对称构型是稳定的。这可能解释了在低Ge沉积温度下获得的密集阵列中金字塔比楔形稳定性差的原因。讨论了在浸润层斑块上由8个二聚体组成的相同胚体通过形成仅对称性不同的1单层高16二聚体核来成核金字塔和楔形的可能过程。给出了两种小丘的这些过程的示意图。从精确的STM测量得出结论，当小丘在其上成核时，浸润层斑块的顶层是弛豫的。
引用
@article{arxiv.1210.2974,
title = {On atomic structure of Ge huts growing on the Ge/Si(001) wetting layer},
author = {Larisa V. Arapkina and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2974},
year = {2013}
}
备注
20 pages, 9 figures