高温下 Ge/Si(001) 浸润层上 Ge 团簇的成核
材料科学
2012-05-11 v2
摘要
利用高分辨率扫描隧道显微镜，研究了在低温（< 600°C）和高温（> 600°C）下于 Si(001) 表面沉积 Ge 时，Ge 量子点成核过程的差异。在高温下，观察到两种导致 Ge 浸润层上出现 {105} 小面化团簇的过程：其一，金字塔状团簇通过先前描述的方式成核，即形成严格确定的、类似花朵的结构，由成对排列的 16 个二聚体以及浸润层 M×N 斑块顶部的 4 个二聚体链组成，每个结构位于单独斑块之上，这与低温下的情形一致；其二，另一种过程涉及在强吸附原子汇（如凹坑或台阶）附近出现的、由过量 Ge 原子构成的无定形堆积体的小面化。后一过程在低温下从未被观察到，仅为高温沉积模式所特有。
引用
@article{arxiv.1105.6012,
title = {Nucleation of Ge clusters at high temperatures on Ge/Si(001) wetting layer},
author = {V. A. Yuryev and L. V. Arapkina},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.6012},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 4 figures; a revised version