Ge-Bi 层状薄膜体系中的熔融与结晶
材料科学
2020-07-28 v1
摘要
本文给出了 Bi-Ge 层状薄膜体系中熔融与结晶过程的研究结果。这些体系通过在真空中依次冷凝各组分制备而成。研究表明，所研究体系的熔化温度随 Bi 膜厚度的减小而降低。用于记录熔化温度的差分技术使我们能够测量该体系中的共晶温度值 = 542 K。我们确定了非晶 Ge 基底上 Bi 岛在结晶时的过冷度值 ( = 93 K) 和润湿角值 ()。
引用
@article{arxiv.2007.12896,
title = {Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi},
author = {S. I. Bogatyrenko and N. T. Gladkikh and S. V. Dukarov and O. P. Kryshtal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.12896},
year = {2020}
}
备注
in Russian