低温下Si(001)上Ge hut阵列形成的初始阶段
材料科学
2011-05-30 v2 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
我们报告了在360°C的超高真空分子束外延过程中，Ge hut阵列在Si(001)表面成核的直接STM观察。在覆盖度约为5.1 Å（~3.6 ML）时，在浸润层MxN斑块上观察到了金字塔和楔形核。hut阵列的进一步发展包括先前出现的团簇的同时生长和新团簇的成核，导致hut数密度随表面覆盖度增加而逐渐上升。Hut成核时，斑块表面从通常的c(4x2)或p(2x2)结构重构为最近描述的两种由外延取向的Ge二聚体对和四聚体链组成的结构之一。
引用
@article{arxiv.1102.1305,
title = {An initial phase of Ge hut array formation at low temperature on Si(001)},
author = {Larisa V. Arapkina and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.1305},
year = {2011}
}
备注
Extended discussion; to appear in J. Appl. Phys., 2011