Si(001)-c(8x8)表面的STM和RHEED研究
材料科学
2011-11-11 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在超高真空分子束外延腔室中,通过短时退火至约925°C脱氧的Si(001)表面,已使用高分辨率扫描隧道显微镜(STM)和反射高能电子衍射(RHEED)进行了原位研究。在样品处理过程中观察到对应于(2x1)和(4x4)结构的RHEED图案。退火后,在温度低于600°C时出现了(4x4)重构。观察到该重构是可逆的:在温度高于600°C时,(4x4)结构转变为(2x1)结构,再次冷却时(4x4)结构重新出现。在室温下,通过STM在同一批样品上揭示了c(8x8)重构。随着样品冷却速率的降低,c(8x8)结构覆盖的表面区域比例减小。在无c(8x8)结构的表面上观察到(2x1)结构。已证明c(8x8)结构在RHEED图案中表现为(4x4)结构。基于STM数据构建了c(8x8)结构的形成模型。讨论了Si(001)表面上高阶结构的起源及其与成核现象的联系。
引用
@article{arxiv.1006.5472,
title = {STM and RHEED study of the Si(001)-c(8x8) surface},
author = {Larisa V. Arapkina and Vladimir M. Shevlyuga and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.5472},
year = {2011}
}
备注
26 pages, 12 figures