利用低能电子衍射与扫描隧道显微镜研究硅(111)-(7x7)表面上的碲覆盖层结构
介观与纳米尺度物理
2024-01-30 v1
摘要
Te覆盖的Si(111)表面近来作为范德瓦耳斯（vdW）材料（如BiTe）外延的模板而受到关注。本文通过低能电子衍射（LEED）与扫描隧道显微镜（STM）报道了在Si(111)(77)上形成Te缓冲层。虽然在室温下于Si(111)(77)表面沉积若干单分子层（ML）Te会导致非晶Te层，但将衬底温度升至会产生微弱的(77)电子衍射图样。该表面的扫描隧道显微镜显示存在来自Si(111)(77)表面重构的剩余角孔，以及(77)原胞的故障半区与非故障半区中的团簇。进一步将衬底温度升至会导致Te/Si(111)表面重构。我们发现该表面构型具有原子级平坦的三重对称结构。
引用
@article{arxiv.1810.05553,
title = {Surface structures of tellurium on Si(111)-(7x7) studied by low-energy electron diffraction and scanning tunneling microscopy},
author = {Felix Lüpke and Jiří Doležal and Vasily Cherepanov and Ivan Ošt'ádal and F. Stefan Tautz and Bert Voigtländer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05553},
year = {2024}
}