Ge(111) 衬底上的 Si(111) 张应变层：c(2x4) 畴的证据
材料科学
2017-09-04 v1
摘要
结合扫描隧道显微镜、低能电子衍射和第一性原理计算，研究了生长在 Ge(111) 衬底上的张应变 Si(111) 层。结果表明，这些层表现出 c(2x4) 畴，畴壁沿 <-110> 方向分布。我们提出了 c(2x4) 畴的模型结构，该结构具有较低的形成能，并与实验数据吻合良好。计算结果表明，Ge 原子很可能取代表面具有悬挂键的 Si 原子（剩余原子和吸附原子），从而显著降低表面能并诱导畴壁的形成。实验和计算表明，当表面应变从压应变变为张应变时，(111) 重构会从基于二聚体 - 吸附体 - 堆垛层错的结构转变为基于吸附体的结构。
引用
@article{arxiv.1709.00272,
title = {Si(111) strained layers on Ge(111): evidence for c(2x4) domains},
author = {R. Zhachuk and J. Coutinho and A. Dolbak and V. Cherepanov and B. Voigtländer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.00272},
year = {2017}
}