UHV退火过程中GaAs(001)表面(2x4)→(3x1(6))结构变化的动力学
材料科学
2018-03-12 v3
摘要
在由砷通量突变引发的条件下的RHEED方法研究了GaAs(001)表面超结构转变(2x4)→(3x1(6))的特性。在转变过程中获得了镜面束强度RHEED图样对时间的依赖关系。测量结果在JMAK（Johnson-Melh-Avrami-Kolmogorov）动力学模型内进行了分析。确定结构重排过程分两个阶段进行，并通过中间无序态实现，表面上共存具有不同重构的畴。确定了各阶段的活化能和相变速度。提出了利用a(2x4)→DO转变过程动力学的特征精确测定GaAs(001)表面温度的方法。本工作结果使我们拓宽对重构转变机制的理解。该信息对于多层异质结构外延生长技术具有关键（基础和应用）性质，其中界面平面度和组分剖面锐度尤为重要。
引用
@article{arxiv.1801.09902,
title = {Kinetics of (2x4) -> (3x1(6)) structural changes on GaAs(001) surfaces during the UHV annealing},
author = {A. V. Vasev and M. A. Putyato and V. V. Preobrazhenskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09902},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 9 figures