As4辐照期间通过扫描隧道显微镜观察到的富As GaAs(001)表面
化学物理
2007-05-23 v1 原子与分子团簇
摘要
通过一个可以同时进行扫描隧道显微镜（STM）和分子束外延的系统，在As4辐照期间成功观察了富As的GaAs (001)表面。在衬底温度为440°C和As4分压为2x10-6托的条件下，反射高能电子衍射图和反射各向异性光谱确认了c(4x4) As稳定表面。STM图像清晰地显示了扫描过程中表面重构的变化。据推测，As分子与表面之间持续的附着/解附产生了观察到的动态行为。
引用
@article{arxiv.physics/0202013,
title = {As-rich GaAs(001) surfaces observed during As4-irradition by scanning tunneling microscopy},
author = {Shiro Tsukamoto and Markus Pristovsek and Bradford G. Orr and Akihiro Ohtake and Gavin R. Bell and Nobuyuki Koguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0202013},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 5 figures