InAs(110) 表面 Co 岛周围环状表面电子结构的低温扫描隧道显微镜研究
材料科学
2012-03-14 v1
摘要
我们报道了在低温下通过扫描隧道显微镜对沉积在解理 p 型 InAs 晶体清洁 (110) 取向表面上的 Co 金属团簇周围出现的环状特征的实验观测。由于电流 - 电压依赖关系中存在负微分电导，这些特征在特定范围的负隧道偏压下于谱学图像中可见。我们引入了一个理论模型，该模型考虑了小隧道结区域中的非平衡效应。在该模型框架下，环状特征的出现被解释为电子在针尖与 InAs 表面之间直接隧穿和间接隧穿（经由 Co 岛）产生的干涉效应。
引用
@article{arxiv.0712.2012,
title = {Low-temperature scanning tunneling microscopy of ring-like surface electronic structures around Co islands on InAs(110) surfaces},
author = {D. A. Muzychenko and K. Schouteden and S. V. Savinov and N. S. Maslova and V. I. Panov and C. Van Haesendonck},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.2012},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 4 figures